Nabíječka

[sis2]

OK, indukčnost primáru je správná, shoda těch dvou měření je dobrá. Vlastnosti trafa už asi nezlepšíš, leda jádrem s mezerou jen na středním sloupku.
Souhlasím s procesorem, pokračoval bych v šetření na sekundáru - jestli je tam kvalitní kondenzátor s nízkým ESR - raději dva paralelně.
A pak už bych zkusil ten transil. Víc v dané konfiguraci asi nedosáhneš.

[fredis]

Jako R13 jsem otestoval 2x180 k paralelně a je to OK. Při návrhu PCB zohledním i osazení toho transilu. Na jaké napětí ho tam osadit? Výše uváděných 180 V se mi zdá málo. Na R13C8 mám 220 až 330V = měřeno multimetrem. Srdečný dík všem zůčastněným za jejich cenné rady!

[procesor]

Myslím si, že zväčšovanie hodnoty R13 iba presúvaš stratu niekde inde (trochu do mosfetu, trochu do vinutia-kapacity závitov, možno do feritu).
Pri tom tvojom mosfete si to môžeš dovoliť (Udsmax=900V).
Preto som vyššie navrhoval spomaliť strmosť zatvárania fetu, aby sa v ňom zmarila čiastočne energia rozptylovej indukčnosti a na prekmit do ochranného obvodu s R13 by zostalo menej energie.
-Trochu sa mi nezdá, že aj taký veľký odpor v G (330Ω) nemal na to vplyv, ako si písal( samozrejme, že otváranie by sa malo diódou podporiť, aj keď v takomto type meniča začiatok zopnutia nie je z pohľadu strát na spínači zaujímavý).
Ak by tam neboli úniky-straty energie(pri strmom náraste napätia), potom by sa na odpore R13 strácala vždy rovnaká energia nezávisle na hodnote odporu. Platil by vzťah u^2/R=K. Zmenou odporu by sa menila iba hodnota u. Teplo by bolo rovnaké.
Vďaka aj iným stratám, nárastom napätia, sa strata presúva inde a na R13 sa strata znižuje. Niečo sa musí viac zohrievať. Tých 1...2W presunutých by sa mohlo niekde dať identifikovať.