Něco mi tady nehraje.
Třeba z toho druhého odkazu - v tabulce se uvádí max hodnota Uce(sat)=0,7V (při Ic =500mA, Ib=50mA), ale obrázek 4 při stejných podmínkách proudů udává Uce(sat) menší než 0,2V.
To jako se tak sichrujou nebo to blbě chápu?
Ano, psal jsem max hodnota Uce(sat), ale zarazila mě ta 300% tolerance.
To se pak něco dost blbě navrhuje.
Ale už jsem několikrát objevil v datašítech horší kraviny...
Lesano omlouvám se, že jsem tě vykolejil abstraktním pojmem hodnota".Ta může být V,A Ohm,Kčs.Správně mělo být "napětí".Transistor spíná napětím
Uke, které může být v saturaci s napětím podstatně menším než 0,7V.Nějaký předřečník našel Usat v katalogu o velikosti 0.2V.Přitom každý se může během pár vteřin přesvědčit že je to pravda.
Sám jsem si podle Amara postavil voltmetr, který používal inverzního zapojení transistoru a ten měl spínací napětí Uek pár milivoltů.
Založen: Dec 21, 2011 Příspěvky: 514 Bydliště: Havířov
Zaslal: so srpen 08 2015, 16:59 Předmět:
Pro praktické použití tranzistoru je to skutečně tak, že se spíná proudem. Nepoteče-li do báze žádný proud, nepoteče ani žádný kolektorový proud. Ik=h21e*Ib.
Mimochodem název tohoto vlákna "výpočet Ueb" je nesprávný. Napětí báze-emitor není nutno počítat, je dáno materiálem přechodu b-e. Pro germanium je to typicky cca 0,45V a pro křemík cca 0,65V. Dá se samozřejmě taky vypočítat, to je ale asi spíš otázka fyziky polovodičů než obvodařiny.
Myslím, že pan Laszlo Balogh z Texas Instruments by si dovolil nesouhlasit. Podle něj jsou bipolární i unipolární tranzistory řízeny stejně a to nábojem v prostoru řídicí elektrody. Liší se jen tím, že unipolární tranzistor ji má izolovanou, zatím co bipolární nemá.
www.radio-sensors.se/download/gate-driver2.pdf
Založen: Oct 11, 2008 Příspěvky: 6166 Bydliště: ZZ9 Plural Z Alpha
Zaslal: so srpen 08 2015, 19:11 Předmět:
A já zas myslím, že pan Balogh si uvědomuje principiální rozdíly mezi FET a BT, on jen potřeboval obvodářům přiblížit to, že při rychlých spínacích dějích je třeba oba typy budit zdrojem o nízké impedanci. Jistě by neměl problém uznat, že ta řídící veličina, kterou tam ten náboj dostáváme, je u FETu napětí a u BT proud.
Založen: Oct 11, 2008 Příspěvky: 6166 Bydliště: ZZ9 Plural Z Alpha
Zaslal: so srpen 08 2015, 20:21 Předmět:
V jednom případě tam potřebujeme nastříkat nositele náboje (a bez napětí se neobejdeme), ve druhém případě tam potřebujeme udělat napětí (a bez proudu se při tom neobejdeme). Ten zásadní rozdíl, co je primární a co je doprovodné, se ukáže ve statickém režimu, že.
Ale samozřejmě, oba mají tři nožičky a platí v nich div j + ∂ρ/∂t = 0, takže mezi nimi není rozdíl
Já myslím, že pan Balogh nezjednodušuje, že opravdu je u obou řídicí veličinou náboj. U BJT se přímo ten řídicí náboj účastní vedení řízeného proudu, u FET se účastní vedení jeho "obraz" na druhé elektrodě kondenzátoru G-substrát.
Založen: Dec 21, 2011 Příspěvky: 514 Bydliště: Havířov
Zaslal: so srpen 08 2015, 21:16 Předmět:
Ale ano lesano87, jenže při řešení obvodů se nelze stále odvolávat na základní fyzikální principy. Pan tomasjedno to vysvětlil naprosto dostatečně. Pro ty, kteří to úplně nechápou to ještě shrnu asi na úrovni učiliště: Zatímco ve statickém režimu u polem řízených tranzistorů do elektrody "gate" neteče opravdu žádný proud (zanedbáme-li proud nedokonalostí izolantu - oxidu u MOS a závěrný proud hradla tam kde je izolantem přechod PN - FET) u dynamického režimu teče do řídící elektrody proud (jalový) omezený (při zanedbání vnějších RLC prvků) kapacitou hradla Cgs. U bipolárních tranzistorů ve většině případů (neuvažujeme vf aplikace s frekvencemi řádu MHz a GHz) teče do báze proud (činný) omezený (zase při zanedbání vnějších RLC prvků) jen dynamickým odporem (činným) přechodu b-e v daném pracovním bodu na A-V charakteristice přechodu PN. Jinak to nevidím a už ani nechci.
Časy uváděny v GMT + 1 hodina Jdi na stránku Předchozí1, 2, 3Další
Strana 2 z 3
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
