Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: st červen 20 2007, 11:59 Předmět:
Myslím, že takovej IRFZ44 se dostatečně otevře i při 5V a ztrátovej výkon na něm bude minimální. Pokud tam ovšem nemáš 230V _________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Objevil jsem jsem v GM Electronic N-MOSFET pod ozančením IRLZ34N. Je to logic-level gate drive, 30A, 55V, 68W a nestojí tolik jako IRL 3803. Ten bude pro mě ideální.
Díky všem za odpovědi.
To Mikollar: Myslim si, ze schema na predchozi strane nebude moc dobre fungovat, protoze R1 tvori zapornou zpetnou vazbu pro T1 a brani tak jeho uplnemu otevreni. Na miste T1 by bylo asi lepsi pouzit tranzistor PNP pripojeny emitorem na napajeci napeti. Do baze bych zapojil odpor v serii se zenerkou na asi 7V, aby pri 5V na vstupu se T1 nesepnul. Pokud na vstupu bude 0V, sepne se T1 a ubytek na R1 sepne MOSFET.
Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: st červen 20 2007, 18:34 Předmět:
Tolik teorie kolem jednoho FEtu, a ještě v tomhle horku.... _________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
MOSFET je ideálny pre takúto aplikáciu. Má veľmi malý odpor v zopnutom stave a impulzne zvládne vysoké prúdy, ktoré vznikajú pri spínaní žiaroviek. Ako budič MOSFETU použi CMOS 4049. Bežne som takto spínal žiarovky procesorom.
To Mikollar: Myslim si, ze schema na predchozi strane nebude moc dobre fungovat, protoze R1 tvori zapornou zpetnou vazbu pro T1 a brani tak jeho uplnemu otevreni. Na miste T1 by bylo asi lepsi pouzit tranzistor PNP pripojeny emitorem na napajeci napeti. Do baze bych zapojil odpor v serii se zenerkou na asi 7V, aby pri 5V na vstupu se T1 nesepnul. Pokud na vstupu bude 0V, sepne se T1 a ubytek na R1 sepne MOSFET.
Řekl bych, že tohle je blbost. V při zavřeném tranzistoru to bude stejné, protože to dělá ten odpor, a při otevřeném tranzistoru je to lepší podle toho obrázku s NPN tranzistorem. Ten se sepne líp. Možná bych mu pro jistotu dal odpor do báze, ale asi je to zbytečnej přepych. Jinak super zapojení.
To Pitr: T1 na obrazku co nakreslil Mikolar se nemuze sepnout lip, protoze ubytek na odporu R1 se odecita od vstupniho napeti a snizuje tak napeti mezi B a E T1, cimz brani jeho uplnemu otevreni. Netvrdim, ze to nebude vubec fungovat, asi to nejak fungovat bude, ale pro co nejlepsi sepnuti FET-u je nutne co nejvetsi budici napeti mezi jeho G a S. V pripade zapojeni, ktere jsem popsal s pouzitim PNP na miste T1 bude pri jeho sepnuti ubytek na R1 (= budici napeti FET-u) temer celych 12V zmensene o saturacni napeti T1. V pripade jak je to nakresleno na schematu tam bude necelych 5V (= vstupni napeti 5V - ubytek na prechodu B-E T1).
To Pitr: T1 na obrazku co nakreslil Mikolar se nemuze sepnout lip, protoze ubytek na odporu R1 se odecita od vstupniho napeti a snizuje tak napeti mezi B a E T1, cimz brani jeho uplnemu otevreni. Netvrdim, ze to nebude vubec fungovat, asi to nejak fungovat bude, ale pro co nejlepsi sepnuti FET-u je nutne co nejvetsi budici napeti mezi jeho G a S. V pripade zapojeni, ktere jsem popsal s pouzitim PNP na miste T1 bude pri jeho sepnuti ubytek na R1 (= budici napeti FET-u) temer celych 12V zmensene o saturacni napeti T1. V pripade jak je to nakresleno na schematu tam bude necelych 5V (= vstupni napeti 5V - ubytek na prechodu B-E T1).
Skutečně tam bude jen asi 4,3V, jenže se předpokládá, že ten MOS-FET je na takové napětí, takže to není problém. Ale těch 4,3V to sepne krásně. Kdyby na mřížce bylo napětí menší, otevře se T1 a hned to dorovná. A žádnej odpor mu v tom nezabrání. A otevře se opravdu hodně, na maximum. V tom tvém zapojení máš s otevřením na maximum větší problém, protože bys potřeboval velikej proud do báze. A musel bys ho tam pouštět pořád, což samozřejmě neuděláš, takže se ti otevře míň. A když to uděláš, budeš mít zase jiný problémy (teplo, ...). Takže, pokud je dostupný FET na 4,3V, je ten NPN tranzistor lepší.
To Pitr: Podle katalogoveho listu muze byt prahove napeti BUZ10 az 4V. Nejsem si tedy jisty, jestli 4.3V mezi jeho G a S bude stacit k jeho uplnemu sepnuti a rizeni zateze 40W tak, aby se moc nehral a mohl fungovat jen s nejakym malym chladicem. Vykonova ztrata v tomto pripade bude dost velka, rozhodne vetsi, nez v zapojeni, co jsem popsal. Dal mi neni jasne, co myslis tim velkym vstupnim proudem. Ten prece zalezi na velikosti R1 a proudovem zesileni T1 a bude v obou pripadech zhruba stejny (za predpokladu stejneho napeti na R1).
Podle příspěvků výše jsem měl dojem, že FET je vybrán a je ideální ho spínat cca 5V. V katalogových listech jsem nehledal. Já myslel, že ti jde o to, že ten tranzistor se málo otevře, kvůli tomu odporu. Jestli ti jde o to, že chceš zvýšit napětí na mřížce, tak to dává smysl, ale z toho příspěvku se to pochopit fakt nedá. Tranzistor T1 je prostě zapojen se spol. kolektorem, takže se "úplně otevřít" (asi jsi to myslel tak, aby bylo UCE=0) nedá a ani to nedává dobrej smysl. A nějakej odpor za to fakt nemůže.
To jsem rad, ze jsme si to vyjasnili. Ja jsem chtel jen upravit zverejnene zapojeni, ve kterem neni mozne nastavit vstupni napeti FET-u vyse nez na 4.3V, cimz by se pouzity FET nemusel ani poradne sepnout. Po uprave popsane v mem prvnim prispevku lze toto vstupni napeti zvysit az na cca 11.5V.
Mohl bych se zeptat jaký použít fet pro spínání odporové zátěže 40W na 3,5V?
Zkoušel jsem to v simulátoru a některé se neotevřeli vůbec a některé se otevřou jen trochu.
Jediný s kterým mi to v simulátoru funguje je nějaký IRLR3705Z. Ale než něco objednám, tak se raději zeptám. Přece jen je to jen simulátor a realita může bejt jiná.
Založen: Jul 21, 2006 Příspěvky: 25741 Bydliště: skoro Brno
Zaslal: so únor 21 2015, 21:57 Předmět:
Na to nejde zas tak jednoduše odpovědět, ale bude to práce spíš pro bipolární tranzistor.
Místo 40W raději napiš proud a napětí, stejně tak max. povolený proud toho budícího napětí 3.5V a požadovanou rychlost spínání. _________________ Pro moje oslovení klidně použijte jméno Zdeněk
Správně navržené zapojení je jako recept na dobré jídlo.
Můžete vynechat půlku ingrediencí, nebo přidat jiné,
ale jste si jistí, že vám to bude chutnat[?]
Časy uváděny v GMT + 1 hodina Jdi na stránku Předchozí1, 2, 3, 4Další
Strana 2 z 4
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.
FAQ
Hledat
Uživatelské skupiny
Profil
Soukromé zprávy
Přihlášení
