Zaslal: st září 13 2017, 21:49 Předmět: N-MOSFET chování při překročení VDS max.
Dobrý den,
mám takový dotaz. Co se stane s tranzistorem N-MOSFET, který má např. VDS max. =30V, ID max.=5.3A a přes "velký" rezistor 10k je přetížen napětím např. 40V v off-stavu. Dojde ke zničení polovodiče, nebo se otevře nedestruktivně jako zenerka ?
Schéma níže.
Určitě ne jako Zenerova dioda. Pokud dojde k průrazu, pak jen v malém okolí od "nejslabšího" místa. Ne, že by se stal vodivý celý kanál. K tepelnému poškození tak malého prostoru pak dojde i relativně malým proudem (resp. energií UdsxIdxt).
Alespoň si to myslím.
Založen: Mar 05, 2007 Příspěvky: 6143 Bydliště: Jesenice u Prahy
Zaslal: čt září 14 2017, 5:58 Předmět:
Nikoliv, při překročení Vds dojde k otevření kanálu a protože je teplotní koeficient Vds kladný, tak se to rozloží na celý kanál.
MOSFETy nejde nějak vybírat na Vds, to je dané výrobou a je jen s malým přesahem nad uváděné Vdsmax.
Dokonce je tak přechod schopen pohltit značnou energii Eas při rozpínání do indukční zátěže.
Ano, v těch katalozích se o tom výrobci zmiňují víceméně letmo a také většina uživatelů (včetně mě) se oblastem nad Bvds snaží vyhnout. Ale je to oblast zajímavá, než jsem napsal svůj laický názor, přečetl jsem si tento, dle mého názoru zajímavý článek, který o problematice pojednává trochu podrobněji. A snad jsem se nechal zmást tím náhradním schematem MOSFETu s parazitním bipolárem a popisem lavinového jevu.
Asi tak.
Založen: Mar 05, 2007 Příspěvky: 6143 Bydliště: Jesenice u Prahy
Zaslal: čt září 14 2017, 9:12 Předmět:
masar napsal(a):
Ano, v těch katalozích se o tom výrobci zmiňují víceméně letmo ...
Ano, je to letmo tak, že je u Vds uváděný teplotní koeficient, je tam maximální a opakující avalanche energie a maximální avalanche proud, je tam i schema jak se to měří a graf závislosti na teplotě pro různé proudy
Kyby jsi měl nějaké praktické zkušenosti, tak by jsi nemohl plácnout takovou kravinu.
Vždyť jsem psal, že se oblastem nad BVdss vyhýbám, takže žádné praktické zkušenosti s tímto problémem nemám a nad zničeným MOSFETem si hlavu nelámu, také jsem jich v životě moc nezničil.
Z těch katalogových údajů bych (pro účel tohoto vlákna) vyzdvihl hlavně ten údaj EAR, který říká, že nesmí být překročena energie 15mJ (t.j. 15mWs) a z toho bych vycházel při výpočtu omezovacího odporu pro tuto "zenerku".
Založen: Mar 05, 2007 Příspěvky: 6143 Bydliště: Jesenice u Prahy
Zaslal: čt září 14 2017, 10:00 Předmět:
Jenže Repetitive Avalanche Energy je vázána na výkonové zatížení chipu, nic tam není o tom, že by to byl nějaký parazitní lokální průraz citlivý na poškození.
Celá ta struktura vertikálního mosfetu dělá v důsledku lavinovou zenerku, značně odolnou na přetížení.
To vše se v katalogu od IR dočteš, ale SOA pro dc tam třeba není
Ta absence tabulky SOA pro DC mě taky někdy s.re.
Buď se to dá najít u jiného výrobce, nebo se to dá trochu odhadnout od grafů těch single pulse.
Tady třeba ten IRF540
Založen: Mar 05, 2007 Příspěvky: 6143 Bydliště: Jesenice u Prahy
Zaslal: čt září 14 2017, 10:28 Předmět:
No jistě, k ničemu jinému než Ptot to nevede.
Naopak v lineárním režimu, kdy je kanál pootevřen napětím Gate bych byl s výkonem opatrnější. Ugs má záporný teplotní koeficient a vznikají tam horká místa a termální průraz.
Ani spínání do kapacitní zátěže není tak jednoduché
ps. všimněte si, že IRF540 od ST má poněkud opatrnější Ptot
Nemůžete odesílat nové téma do tohoto fóra. Nemůžete odpovídat na témata v tomto fóru. Nemůžete upravovat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete mazat své příspěvky v tomto fóru. Nemůžete hlasovat v tomto fóru. Nemůžete připojovat soubory k příspěvkům Můžete stahovat a prohlížet přiložené soubory
Informace na portálu Elektro bastlírny jsou prezentovány za účelem vzdělání čtenářů a rozšíření zájmu o elektroniku. Autoři článků na serveru neberou žádnou zodpovědnost za škody vzniklé těmito zapojeními. Rovněž neberou žádnou odpovědnost za případnou újmu na zdraví vzniklou úrazem elektrickým proudem. Autoři a správci těchto stránek nepřejímají záruku za správnost zveřejněných materiálů. Předkládané informace a zapojení jsou zveřejněny bez ohledu na případné patenty třetích osob. Nároky na odškodnění na základě změn, chyb nebo vynechání jsou zásadně vyloučeny. Všechny registrované nebo jiné obchodní známky zde použité jsou majetkem jejich vlastníků. Uvedením nejsou zpochybněna z toho vyplývající vlastnická práva. Použití konstrukcí v rozporu se zákonem je přísně zakázáno. Vzhledem k tomu, že původ předkládaných materiálů nelze žádným způsobem dohledat, nelze je použít pro komerční účely! Tento nekomerční server nemá z uvedených zapojení či konstrukcí žádný zisk. Nezodpovídáme za pravost předkládaných materiálů třetími osobami a jejich původ. V případě, že zjistíte porušení autorského práva či jiné nesrovnalosti, kontaktujte administrátory na diskuzním fóru EB.